DEPENDÊNCIA SELETIVA DA INTERAÇÃO ELÉTRON-FÔNON NA NATUREZA DA TRANSIÇÃO ÓPTICA EM POÇOS QUÂNTICOS DE AlGaAs
No presente trabalho, foi realizado um estudo da emissão óptica de poços quânticos de AlGaAs/GaAs das amostras QW 3224, QW 3249 e QW 3236 cada amostra com o mesmo tamanho de poço 140 Å e com diferentes concentrações de alumínio X= 0 %, 9,4% e 13 % as medições foram feitas utilizando a tecnica de fotoluminescência (PL). Foram analisados os espectros opticos de cada amostra assim como tambem foi verificada a dependência das amostras a temperatura e a consentração de aluminio, os valores da energia obtidos para cada picos em funçao da variação da temperatura foram analisado utilizando a equação de Pässler e determinando os valores de e a energia do GAP . Uma análise detalhada dos picos (PL) mostrou que com aumento do aluminio os valores do GAP aumentam, a dependência do valor da equação de Pässler mostrou que a força da interação elétron-fônon é influenciada pelo grau de ligação do elétron na banda de condução (estado excitônico livre ou localizado, estado confinado em tamanho ou volume).